等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)

等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)

PECVD（等离子增强化学气相淀积）设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的**设备。淀积温度范围宽( 100～600oC可调)，特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。目前，它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。

产品特点：

1、膜质量高。它不同于通常使用的翻盖式单室机（易漏大气而使淀积的薄膜质量不高），而是一种操作方便的双室系统。由于采用了特殊的反应室结构设计，在薄膜生长过程中反应室不存在漏大气的问题，因此生成的膜质量很高。例如，生长的SiNx薄膜抗氢氟酸和氢氧化钾腐蚀的能力强。折射系数大于2。
2、粉尘少。特殊腔室结构克服了以往常规方法淀积时粉尘多的缺点。
3、均匀性好。反应室内采用了多级匀气系统，故薄膜的均匀性好。
4、淀积温度范围宽（100～600℃可调），工作控温精度在± 1℃。
除淀积SiN、SiO2、非晶硅、多晶硅外，还可用于探索特殊新材料的研究。
特别适合科研和小规模生产！升级后的HQ-08型PECVD增加了自动程序控制和射频自动匹配，使操作更加简单、重复。
配置及指标：

1、特别的平板式双反应室系统1套。带加温和匀气系统。
2、机械泵2个；分子泵1套，带控制电源。
3、射频电源一套，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器。
4、数字定时器1只，精度1秒。
5、数字温度控制系统1套，控制精度±1度。
6、自动恒(气)压系统1套(自选件)。
7、质量流量计4个；气路4路(可增选)。
8、PECVD淀积：二氧化硅，氮化硅，类金刚石等
9、均匀性误差：≤ ± 4％( 4英寸内)
10、4英寸，兼容3英寸，2英寸及小碎片。
11、工作温度：100～600℃
控温精度：≤ ±1℃