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低压化学气相淀积设备使用与维护技术
LPCVD是大规模集成电路(LSI)和**大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。
PCVD技术可以提高淀积薄膜的质量，使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点，成为制备Si 3N4薄膜的主要方法。热壁LPCVD设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题，提出解决办法。
PCVD技术可以提高淀积薄膜的质量，使膜层具有均匀性好，缺陷密度低，台阶覆盖性好等优点，成为制备Si 3N4薄膜的主要方法。淀积时，硅片垂直放人反应器中，间隙紧凑，大大提高了设备的加工能力，有利于降低生产成本，与水平放置硅片的系统相比，避免了反应器掉落微粒的沾污。
热壁LPCVD技术有如下特点:
淀积温度低、均匀性好，能很好地控制其组分，并有良好的台阶覆盖性、可控性和重复性好，成本低、成品率高、适合大批量生产，且淀积薄膜不受衬底的影响。
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